非晶硅锗薄膜与太阳能电池研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (4): 765-770.

非晶硅锗薄膜与太阳能电池研究

刘石勇;李旺;牛新伟;杨德仁;王仕鹏;黄海燕;陆川

浙江正泰太阳能科技有限公司,杭州310053;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027;浙江正泰太阳能科技有限公司,杭州,310053;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

出版日期:2014-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家国际合作项目(2010DFB63080);国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA052401)

Study on Amorphous Silicon Germanium(a-SiGe) Thin Films and Solar Cells

LIU Shi-yong;LI Wang;NIU Xin-wei;YANG De-ren;WANG Shi-peng;HUANG Hai-yan;LU Chuan

Online:2014-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在1.1 m×1.3m的大面积玻璃衬底上制备非晶硅锗(a-SiGe)薄膜和太阳能电池.系统研究了锗烷流量比(RGe)、氢气流量比(RH)、沉积功率和压强对a-SiGe薄膜光学带隙以及沉积速率的影响;分析了具有不同RGe的本征层对a-SiGe单结电池的影响;通过调节沉积参数制备出具有合适本征层带隙的高质量a-SiGe单结电池,实现在800 nm波长处的量子效率达到18.9;,同时填充因子(FF)也达到0.62.

中图分类号:

TK511

刘石勇;李旺;牛新伟;杨德仁;王仕鹏;黄海燕;陆川. 非晶硅锗薄膜与太阳能电池研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(4): 765-770.

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