温度梯度区域熔炼法制备2μm低吸收ZnGeP2晶体

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (6): 1367-1370.

温度梯度区域熔炼法制备2μm低吸收ZnGeP2晶体

倪友保;吴海信;黄昌保;程旭东;王振友;肖瑞春

中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031

出版日期:2014-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51202250)

Investigation on the 2 μm Low Absorption ZnGeP2 Crystal Grown by Temperature Gradient Solution Zone Method

NI You-bao;WU Hai-xin;HUANG Chang-bao;CHENG Xu-dong;WANG Zhen-you;XIAO Rui-chun

Online:2014-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 针对高温熔体生长的ZnGeP2 (ZGP)晶体,易在能带边缘附近出现宽光学吸收带,难以直接应用的问题,开展了籽晶温度梯度区域熔炼生长方法探索研究,最终在较低温度(945℃左右)生长出φ20 mm×30 mm单晶,晶体2μm附近吸收系数处于0.16 ～ 0.3 cm-1之间.但采用当前方法,如何改善晶体光学均匀性、结晶质量,提高原料利用率等一系列问题,还有待进一步研究.

中图分类号:

倪友保;吴海信;黄昌保;程旭东;王振友;肖瑞春. 温度梯度区域熔炼法制备2μm低吸收ZnGeP2晶体[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(6): 1367-1370.

NI You-bao;WU Hai-xin;HUANG Chang-bao;CHENG Xu-dong;WANG Zhen-you;XIAO Rui-chun. Investigation on the 2 μm Low Absorption ZnGeP2 Crystal Grown by Temperature Gradient Solution Zone Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(6): 1367-1370.

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