Cz法单晶硅生长过程功率及流体流动的实验研究与数值模拟

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (6): 1438-1443.

Cz法单晶硅生长过程功率及流体流动的实验研究与数值模拟

金超花;朱彤

同济大学机械与能源工程学院,上海,200092

出版日期:2014-06-15 发布日期:2021-01-20

Experimental and Numerical Study on the Power and Fluid Flow during the Silicon Crystal Growth Process by Cz Method

JIN Chao-hua;ZHU Tong

Online:2014-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文建立了一个二维全局模型对120 KG单晶硅炉的热系统进行了数值模拟.通过对温场的单独模拟以及温场流场的耦合模拟得到了不同模型下晶体生长所需要的功率,并将两组模拟值与实验数据进行对比得到了加入流体流动后系统所产生的功率损耗.同时对晶体生长过程的分阶段模拟得到了晶体生长过程热系统温度分布的变化规律以及熔体流动的变化规律.结果显示,在整个晶体生长过程中流体流动所产生的功率损耗占实际功率的21.6;左右.

中图分类号:

金超花;朱彤. Cz法单晶硅生长过程功率及流体流动的实验研究与数值模拟[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(6): 1438-1443.

JIN Chao-hua;ZHU Tong. Experimental and Numerical Study on the Power and Fluid Flow during the Silicon Crystal Growth Process by Cz Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(6): 1438-1443.

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