化学气相沉积法生长石墨烯的研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (7): 1620-1625.

化学气相沉积法生长石墨烯的研究

史永贵;王东;张进成;张鹏;史学芳;郝跃

西安电子科技大学微电子学院,宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室,西安710071

出版日期:2014-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家博士后科学基金(2012M521743);陕西省自然科学基础研究计划(2012JM8009)

Study on the Growth of Graphene by Chemical Vapor Deposition Method

SHI Yong-gui;WANG Dong;ZHANG Jin-cheng;ZHANG Peng;SHI Xue-fang;HAO Yue

Online:2014-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以甲烷为碳源,原铜箔和用过硫酸铵清洗过的铜箔为衬底,对比研究了铜的表面结构、生长温度及冷却速率对石墨烯CVD法生长的影响.研究发现经过处理的铜箔表面粗糙度小,显微结构精细,化学活性高,更有利于石墨烯的快速形核与生长.而原铜箔因表面粗糙度大,存在大量粗大纹理结构,化学活性低,使得石墨烯的形核生长需要更高的温度.因而,对于不同衬底,选择合适的生长温度至关重要.而提高冷却速率有利于获得大尺寸、高质量并具有原生生长形貌的石墨烯.

中图分类号:

T304.9

史永贵;王东;张进成;张鹏;史学芳;郝跃. 化学气相沉积法生长石墨烯的研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(7): 1620-1625.

SHI Yong-gui;WANG Dong;ZHANG Jin-cheng;ZHANG Peng;SHI Xue-fang;HAO Yue. Study on the Growth of Graphene by Chemical Vapor Deposition Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(7): 1620-1625.