光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (9): 2354-2358.

光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究

张小桃;谢建军;夏长泰;张晓欣;肖海林;赛青林;户慧玲

上海大学材料科学与工程学院,上海200444;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800;上海大学材料科学与工程学院,上海,200444;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

出版日期:2015-09-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
上海市科研计划能力建设项目(14520500300);上海市科委科技攻关(13111103700)

Growth and Properties of Sn∶β-Ga2O3 Single Crystal by Optical Floating Zone Method

ZHANG Xiao-tao;XIE Jian-jun;XIA Chang-tai;ZHANG Xiao-xin;XIAO Hai-lin;SAI Qing-lin;HU Hui-ling

Online:2015-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 作为垂直结构的GaN基LED新型衬底材料,β-Ga2 O3单晶已经引起了人们的广泛关注.β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4掺入是其中一种很好提高-Ga2O3导电性的方法.利用光学浮区法生长了尺寸为5×20 mm2,掺杂浓度为10;的掺锡氧化镓单晶(Sn∶ β-Ga2O3),并对Sn∶ β-Ga2O3单晶的缺陷密度、导电和荧光光谱特性进行了研究.结果表明:实验制得Sn∶β-Ga2O3样品的线缺陷约为6.51×105/cm2,掺入Sn4+杂质后β-Ga2 O3的电导率增加,样品的最高电导率为2.210 S/cm,同时Sn4+的掺入会抑制β-Ga2O3的红绿光发射.

中图分类号:

张小桃;谢建军;夏长泰;张晓欣;肖海林;赛青林;户慧玲. 光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(9): 2354-2358.

ZHANG Xiao-tao;XIE Jian-jun;XIA Chang-tai;ZHANG Xiao-xin;XIAO Hai-lin;SAI Qing-lin;HU Hui-ling. Growth and Properties of Sn∶β-Ga2O3 Single Crystal by Optical Floating Zone Method[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(9): 2354-2358.

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