人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (1): 47-52.
沈万程;沈宗洋;李月明;王竹梅;骆雯琴;宋福生;谢志翔
出版日期:
2016-01-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
SHEN Wan-cheng;SHEN Zong-yang;LI Yue-ming;WANG Zhu-mei;LUO Wen-qin;SONG Fu-sheng;XIE Zhi-xiang
Online:
2016-01-15
Published:
2021-01-20
摘要: 采用固相法制备了0.96(K0.49 Na0.51)(Nb0.97-xTa0.03Sbx) O3-0.04Bi0.5(Na0.8K0.2)0.5ZrO3(0.96KNNTSx-0.04BNKZ,x=0,0.01,0.02,0.03,0.04)无铅压电陶瓷,研究了Sb掺杂量对0.96KNNTSx-0.04BNKZ陶瓷相结构、微观结构和电性能的影响规律.X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)分析结果表明:0.96KNNTSx-0.04BNKZ陶瓷具有纯钙钛矿结构,随着Sb掺杂量x的增加,陶瓷由正交-四方两相共存逐渐转变为四方相,在x≤0.01时,陶瓷为正交-四方两相共存的多型相转变(Polymorphic Phase Transition,PPT)结构,而当x≥0.02时,陶瓷则转变为四方相结构.在PPT向四方相转变的组成边界x=0.02处,陶瓷具有优异的电性能:压电常数d33=345 pC/N,机电耦合系数kp=39.2;,机械品质因数Qm=51,介电常数ε33T/ε0=1520,介电损耗tanδ =2.7;,剩余极化强度Pr=15.4 μC/cm2,矫顽场Ec =1.09kV/mm,居里温度Tc=275℃.
中图分类号:
沈万程;沈宗洋;李月明;王竹梅;骆雯琴;宋福生;谢志翔. Sb掺杂对0.96(K0.49Na0.51)(Nb0.97-xTa0.03Sbx)O3-0.04Bi0.5(Na0.8K0.2)0.5ZrO3无铅压电陶瓷结构与电性能的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(1): 47-52.
SHEN Wan-cheng;SHEN Zong-yang;LI Yue-ming;WANG Zhu-mei;LUO Wen-qin;SONG Fu-sheng;XIE Zhi-xiang. Effect of Sb Doping on the Structure and Electrical Properties of 0.96(K0.49Na0.51)(Nb0.97-xTa0.03Sbx)O3-0.04Bi0.5(Na0.8K0.2)0.5ZrO3 Lead-free Piezoelectric Ceramics[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(1): 47-52.
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