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人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (8): 2056-2060.

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硅基(001)取向Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3薄膜的制备及其铁电性能研究

张程浩;狄杰建;谭培培;李明勇;赵全亮;谭晓兰;王大伟   

  1. 北方工业大学机械与材料工程学院,北京,100144
  • 出版日期:2016-08-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(51305005,51402005,51375017);北京市自然科学基金委员会-北京市科学技术研究院联合资助项目(16L00001)

Study on Ferroelectric Properties of (001)-oriented Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr, Ti)O3 Thin Films Prepared on Si Substrate

ZHANG Cheng-hao;DI Jie-jian;TAN Pei-pei;LI Ming-yong;ZHAO Quan-liang;TAN Xiao-lan;WANG Da-wei   

  • Online:2016-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用磁控溅射法在LaNiO3/Si衬底上制备了6;Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-94; Pb(Zr0.52 Ti0.48) O3 (PMnN-PZT)铁电薄膜,对其微结构和铁电特性进行了研究.结果表明,该铁电薄膜呈(001)高度择优取向,取向度高达98;.经过1010次铁电循环测试,铁电薄膜无疲劳现象;在104 s时间内,薄膜的铁电保持和印记特性稳定,无明显退化.该结果说明LaNiO3氧化物电极会降低PMnN-PZT薄膜的氧空位浓度,有效地缓解了电荷注入的问题,因此改善了PMnN-PZT薄膜的铁电性能.

关键词: 锰铌锆钛酸铅;镍酸镧;铁电性能;磁控溅射

中图分类号: