氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (11): 1970-1983.

所属专题：宽禁带半导体晶体与器件

氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展

张育民;王建峰;蔡德敏;徐俞;王明月;胡晓剑;徐琳;徐科

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123;苏州纳维科技股份有限公司,苏州 215123%苏州纳维科技股份有限公司,苏州 215123

出版日期:2020-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
(国家重点研发计划)%(国家自然科学基金)%(中国科学院前沿科学重点研究计划项目)

Progress on GaN Single Crystal Substrate Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy

ZHANG Yumin;WANG Jianfeng;CAI Demin;XU Yu;WANG Mingyue;HU Xiaojian;XU Lin;XU Ke

Online:2020-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 氮化镓(GaN)晶体是制备蓝绿光激光器、射频微波器件以及电力电子等器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通讯及智能电网等领域具有广阔的应用前景.目前市场上的氮化镓单晶衬底大部分都是通过氢化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy,HVPE)方法生长制备的,在市场需求的推动下,近年来HVPE生长技术获得了快速的发展.本论文综述了近年来HVPE方法生长GaN单晶衬底的主要进展,主要内容包含HVPE生长GaN材料的基本原理、GaN单晶中的掺杂与光电性能调控、GaN单晶中的缺陷及其演变规律和GaN单晶衬底在器件中的应用.最后对HVPE生长方法的发展趋势进行了展望.

中图分类号:

O78
TN304

张育民;王建峰;蔡德敏;徐俞;王明月;胡晓剑;徐琳;徐科. 氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1970-1983.

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Progress on GaN Single Crystal Substrate Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy

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