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人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (4): 613-617.

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Na掺杂和空位对ZnO磁性及电子结构的影响

付斯年;李聪;朱瑞华;郑友进   

  1. 牡丹江师范学院物理系,黑龙江省新型碳基功能与超硬材料重点实验室, 牡丹江 157011
  • 出版日期:2020-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    黑龙江省教育厅一般项目(1353MSYYB016);牡丹江师范学院项目(GP201605)

Effect of Na Doping and Vacancy on the Magnetism and Electronic Structure of ZnO

FU Sinian;LI Cong;ZHU Ruihua;ZHENG Youjin   

  • Online:2020-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 通过第一性原理,对Na掺杂(NaZn)与Zn空位(VZn)及Na掺杂与O空位(VO)共存的ZnO体系的形成能、电子结构及磁性机理进行了研究.结果表明,Na原子与空位(VZn或VO)空间位置最近时,掺杂体系的形成能最低;与诱导VZn相比,Na掺杂在ZnO体系中更易诱导VO,并且过量的Na掺杂必然导致VO的形成.另外,磁性研究发现,Na掺杂与空位(VZn或VO)共存的体系都具有磁性.并且Na掺杂与VZn共存的ZnO体系磁性源于VZn的本征缺陷,而Na掺杂与VO共存的ZnO体系的磁性源于Na原子与VO的电子关联交互作用.

关键词: Na掺杂ZnO;第一性原理;形成能;电子结构

中图分类号: