PVT法AlN单晶生长技术研究进展及其面临挑战

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (7): 1141-1156.

PVT法AlN单晶生长技术研究进展及其面临挑战

付丹扬;龚建超;雷丹;黄嘉丽;王琦琨;吴亮

上海大学材料科学与工程学院,省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室,上海市钢铁冶金新技术开发应用重点实验室,上海200444;奥趋光电技术(杭州)有限公司,杭州311106

出版日期:2020-07-15 发布日期:2021-01-20

Research Progress and Future Challenges of AlN Single Crystal Growth by Physical Vapor Transport Method

FU Danyang;GONG Jianchao;LEI Dan;HUANG Jiali;WANG Qikun;WU Liang

Online:2020-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 氮化铝(AlN)具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率(340 W/(m·℃))、高击穿场强(11.7 MV/cm)、良好的紫外透过率、高化学和热稳定性等优异性能,是氮化镓基(GaN)高温、高频、高功率电子器件以及高Al组分深紫外光电器件的理想衬底材料.物理气相传输(PVT)法是制备大尺寸高质量AlN单晶最有前途的方法.本文介绍了AlN单晶的晶体结构、基本性质及PVT法生长AlN晶体的原理与生长习性.基于AlN单晶PVT生长策略,综述了自发形核工艺、同质外延工艺及异质外延工艺的研究历程,各生长策略的优缺点及其最新进展.最后对PVT法生长AlN单晶的发展趋势及其面临的挑战进行了简要展望.

中图分类号:

付丹扬;龚建超;雷丹;黄嘉丽;王琦琨;吴亮. PVT法AlN单晶生长技术研究进展及其面临挑战[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1141-1156.

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