人工晶体学报 ›› 1998, Vol. 27 ›› Issue (2): 137-140.
廖克俊;王万录
出版日期:
1998-02-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
Liao Kejun;Wang Wanlu
Online:
1998-02-15
Published:
2021-01-20
摘要: 本文利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上获得了局域异质外延金刚石膜.由Raman背散射强度(在1332cm-1处)旋转角依赖关系表明,金刚石膜与Si(100)的定向关系为dia(100)∥Si(100)和dia[110]∥Si[110].在金刚石膜的成核阶段,位于衬底和灯丝之间的电极相对于灯丝施加一负偏压,获得的金刚石膜用扫描电镜和Raman谱表征.对实验结果进行了简要的讨论.
中图分类号:
廖克俊;王万录. 利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上合成局域异质外延金刚石膜[J]. 人工晶体学报, 1998, 27(2): 137-140.
Liao Kejun;Wang Wanlu. Heteroepitaxial Diamond Films Growth on Si(100) by Emission Electron Via Hot Filament CVD[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 1998, 27(2): 137-140.
[1] | 周玄, 程国峰, 何代华. InSeI单晶的制备及其结构与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2252-2255. |
[2] | 段欢, 崔瑞瑞, 邓朝勇. Ba2YAlO5∶Eu3+, Na+荧光粉的合成和光致发光性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2302-2307. |
[3] | 张汉宏, 叶帅, 张帆. 钙钛矿单晶的合成研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2389-2397. |
[4] | 张育民;王建峰;蔡德敏;徐俞;王明月;胡晓剑;徐琳;徐科. 氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1970-1983. |
[5] | 李方直;胡磊;田爱琴;江灵荣;张立群;李德尧;池田昌夫;刘建平;杨辉. GaN基蓝绿光激光器发展现状与未来发展趋势[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1996-2012. |
[6] | 蒋府龙;许非凡;刘召军;刘斌;郑有炓. 氮化镓基Micro-LED显示技术研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2013-2023. |
[7] | 任国强;刘宗亮;李腾坤;徐科. 氮化镓单晶的液相生长[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2024-2037. |
[8] | 李金钗;高娜;林伟;蔡端俊;黄凯;李书平;康俊勇. AlGaN量子结构及其紫外光源应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2068-2078. |
[9] | 吴峰;戴江南;陈长清. AlGaN基深紫外发光二极管研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2079-2097. |
[10] | 刘梦婷;韩杰才;王先杰;宋波. 氮化铝纳米结构的生长与物性研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2098-2121. |
[11] | 柏松;李士颜;费晨曦;刘强;金晓行;郝凤斌;黄润华;杨勇. 新一代SiC功率MOSFET器件研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2122-2127. |
[12] | 王艳丰;王宏兴. MPCVD单晶金刚石生长及其电子器件研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2139-2152. |
[13] | 白旭东;胡皓阳;蒋俊;李荣斌;申慧;徐家跃;金敏. SnSe热电半导体晶体生长技术创新进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2153-2160. |
[14] | 胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210. |
[15] | 李一村;舒国阳;刘刚;郝晓斌;赵继文;张森;刘康;曹文鑫;代兵;杨磊;朱嘉琦;曹康丽;韩杰才. MPCVD单晶金刚石初始及断续生长界面的表征与分析[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1765-1769. |
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