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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (5): 755-757.

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退火效应对MOCVD生长的ZnO薄膜的影响

朱宝富;黄柏标;秦晓燕;李先林;姚书山;尉吉勇;张琦   

  1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
  • 出版日期:2004-10-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(11250005130390)

Influence of Annealing on the Properties of ZnO Thin Film

  • Online:2004-10-15 Published:2021-01-20

摘要: 我们利用MOCVD设备在α-Al2O3衬底上生长了c轴取向的ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜进行表征,研究了退火对ZnO薄膜光电特性影响.通过退火优化, ZnO薄膜的结晶性得到提高,晶粒尺寸变大,紫外光发射峰的强度相对变强.

关键词: MOCVD;退火;ZnO薄膜;X射线衍射;光致发光谱

中图分类号: