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人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (1): 20-24.

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电极耦接变化对分子器件电子输运特性影响的研究

王利光;陈蕾;李勇;郭良;田上胜规;塚田捷   

  1. 江南大学理学院,无锡,214122;清华大学摩擦学国家重点实验室微纳制造分室,北京,100084;早稻田大学纳米技术研究中心120-5,东京162-00041,日本
  • 出版日期:2008-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家重点基础研究发展计划(973计划)(2003CB716204);教育部国际合作研究项目(20060360563);江苏省先进光电材料重点实验室研究项目(BM2003202)

Electron Transmission Properties Depending on Changed Electrode Connections

WANG Li-guang;CHEN Lei;LI Yong;GUO Liang;Katsunori Tagami;Masaru Tsukada   

  • Online:2008-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 利用基于Green函数的 Tight-binding 理论,对phenalenyl构成的单分子器件电极耦接点变化情况下的电子输运特性进行了研究.通过理论计算,得出了分子与原子线电极间接点变化对电子输运的影响.结果显示电子通过phenalenyl分子器件的概率随着分子与电极的耦合点的变化而改变.当耦接点改变时,不仅电子通过phenalenyl分子的概率变化,而且无源正负能量开关器件的特征也发生变化.所得结果还揭示出在应用phenalenyl分子器件时,只需改变电极耦接,就可以获得具有不同电子学特性的分子器件.

关键词: phenalenyl分子器件;电极耦接点;电子输运

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