AgGaS2单晶生长石英安瓿镀碳工艺研究

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (1): 25-28.

AgGaS2单晶生长石英安瓿镀碳工艺研究

雷勇波;赵北君;朱世富;陈宝军;谭波;吴小娟;黄毅

四川大学材料科学系,成都,610064

出版日期:2008-02-15 发布日期:2021-01-20

Investigation of the Carbon Coating Process on Ampoule for AgGaS2 Crystal Growth

LEI Yong-bo;ZHAO Bei-jun;ZHU Shi-fu;CHEN Bao-jun;TAN Bo;WU Xiao-juan;HUANG Yi

Online:2008-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 研究了镀碳工艺参数对碳膜的表面形貌、厚度、碳膜与石英管内壁结合力的影响,发现在气体流量为30～40ml/min, 镀碳温度为1040～1060℃,镀碳时间为30～40min,冷却时间为10～12h的条件下,可获得均匀、致密且结合牢固的碳膜层.用此工艺镀碳的石英安瓿生长出的AgGaS2晶体表面光洁,完整性好,缺陷较少.

中图分类号:

O782

雷勇波;赵北君;朱世富;陈宝军;谭波;吴小娟;黄毅. AgGaS2单晶生长石英安瓿镀碳工艺研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(1): 25-28.

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