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人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (2): 290-293.
李寒松;李焕勇
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RSS出版日期:2012-04-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:LI Han-song;LI Huan-yong
Online:2012-04-15
Published:2021-01-20
摘要： 本文采用化学气相输运(CVT)法,由Zn(5N)和Se(5N)一步直接生长了片状ZnSe单晶,并对其结构特性和光电性能进行分析.研究表明,生长出的ZnSe单晶仅显露(111)面,红外透过率约为40; ～42;,具有较高的结晶质量.该ZnSe单晶可与In电极形成良好的欧姆接触,其体电阻率约为7.3 ×l09 Ω·cm.
中图分类号:
李寒松;李焕勇. CVT一步生长的ZnSe单晶的光电特性研究[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(2): 290-293.
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