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人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (2): 294-297.

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SiC籽晶表面状态对晶体质量的影响

杨莺;刘素娟;陈治明;林生晃;李科;杨明超   

  1. 西安理工大学电子工程系,西安,710048
  • 出版日期:2012-04-15 发布日期:2021-01-20

Effect of the Surface State of SiC Seed on the Crystal Quality

YANG Ying;LIU Su-juan;CHEN Zhi-ming;LIN Sheng-huang;LI Ke;YANG Ming-chao   

  • Online:2012-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 为了研究表面状态对晶体质量的影响,本文分别采用腐蚀后抛光与未抛光的晶片作为籽晶,利用金相显微镜对所得晶体进行了显微观察,结果表明:经过腐蚀后抛光的籽晶生长出的晶体质量高于未抛光籽晶所得晶体;生长前端的位错尺寸以及数量小于未抛光籽晶,说明抛光去除了部分表面浅的缺陷腐蚀坑,同时减小深腐蚀坑的尺寸,使得籽晶生长表面的缺陷密度和尺寸大大降低,有助于减少后期生长的晶体中的缺陷密度,提高结晶质量.

关键词: SiC籽晶;表面状态;腐蚀;抛光;缺陷密度

中图分类号: