透明导电氧化物β-Ga2O3 单晶生长的研究进展

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (4): 676-681.

透明导电氧化物β-Ga2O3 单晶生长的研究进展

张俊刚;夏长泰;吴锋;裴广庆;徐军

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

出版日期:2005-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院"百人计划";教育部留学回国人员科研启动基金

Research Progress in the Growth of Transparent Conducting Oxides β-Ga2O3 Single Crystal

ZHANG Jun-gang;XIA Chang-tai;WU Feng;PEI Guang-qing;XU Jun

Online:2005-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文对β-Ga2O3单晶体的研究情况进行了综合,主要介绍了β-Ga2O3单晶体的生长方法:Verneuil法、提拉法和浮区法生长技术,并简单介绍了β-Ga2O3单晶体的光学和电学性质及其在GaN衬底方面的应用.β-Ga2O3单晶体的优异性质使其可以成为新一代的透明导电材料.

中图分类号:

张俊刚;夏长泰;吴锋;裴广庆;徐军. 透明导电氧化物β-Ga2O3 单晶生长的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(4): 676-681.

ZHANG Jun-gang;XIA Chang-tai;WU Feng;PEI Guang-qing;XU Jun. Research Progress in the Growth of Transparent Conducting Oxides β-Ga2O3 Single Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(4): 676-681.

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