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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (5): 835-840.
宇慧平;隋允康;张峰翊;常新安;安国平
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RSS出版日期:2004-10-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:
Online:2004-10-15
Published:2021-01-20
摘要： 本文采用紊流模型对提拉大直径单晶硅时,对晶体旋转、坩埚旋转及二者共同作用三种情况下,熔体内的流线、等温线、氧的浓度分布、紊流粘性系数、紊动能等作了数值模拟,发现晶体的旋转能提高氧的径向均匀性,紊流粘性系数和紊动能随着坩埚转速的提高先增加后下降.晶体坩埚同时旋转时并不能有效降低紊流粘性系数,但能使子午面上的流动受到抑制,等温线更为平坦,有利于晶体生长.
中图分类号:
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