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人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (5): 1051-1055.

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单质直接气相生长ZnSe单晶

李文渭;李焕勇;介万奇   

  1. 西北工业大学材料学院,西安,710072
  • 出版日期:2008-10-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(50502028;50336040);国家高技术研究发展计划(863计划)(2008AA032401);西北工业大学校科研和教改项目

Growth of ZnSe Single Crystals Directly from Zinc and Selenium

LI Wen-wei;LI Huan-yong;JIE Wan-qi   

  • Online:2008-10-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文直接以高纯Zn、Se单质为原料,加入少量碘单质作为反应输运剂,用化学气相输运(CVT)的方法一步成功的生长出了ZnSe单晶.采用XRD、EDS、紫外可见分光光度计和光致发光(PL)技术研究了生长的ZnSe晶体的结构、成份以及光学特性.结果表明,生长的ZnSe单晶具有较好结晶性能,成份接近理想的化学计量比,在500~2000nm范围内透过率达到65;~70;,在1.9~2.5 eV范围内存在与Zn空位和杂质能级相关的发光带.由Zn和Se单质在输运剂I2的辅助下一步直接生长ZnSe单晶是可行的.

关键词: ZnSe单晶;一步生长;输运剂

中图分类号: