P/I界面处理对a-Si:H柔性太阳能电池性能的影响

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (5): 1187-1190.

P/I界面处理对a-Si:H柔性太阳能电池性能的影响

雷青松;徐火希;王晓晶;季峰;徐静平

华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074

出版日期:2008-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
华中科技大学校科研和教改项目(HUST2006176)

Influence of the P/I Interface Treatment on the Properties of a-Si: H Solar Cells

LEI Qing-song;XU Huo-xi;WANG Xiao-jing;JI Feng;XU Jing-ping

Online:2008-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理.在此基础上,制备P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜与柔性太阳能电池.对P型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究.结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入一定厚度的成核层,可以成功得到高电导率的P型微晶硅窗口层,提高柔性太阳能电池的光伏特性.其中的成核层,不仅促进微晶相P层的生长,还可以起到界面缓冲层的作用.

中图分类号:

雷青松;徐火希;王晓晶;季峰;徐静平. P/I界面处理对a-Si:H柔性太阳能电池性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(5): 1187-1190.

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