中红外非线性光学晶体CdSiP2的合成与生长

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (8): 1494-1498.

中红外非线性光学晶体CdSiP2的合成与生长

张国栋;程奎;张龙振;陶绪堂

山东大学晶体材料国家重点实验室,晶体材料研究所,济南250100

出版日期:2020-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
(国家自然科学基金);(山东省重点研发计划)

Synthesis and Growth of Mid-infrared Nonlinear Optical Crystal CdSiP2

ZHANG Guodong;CHENG Kui;ZHANG Longzhen;TAO Xutang

Online:2020-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文以P,Si,Cd为原料采用双温区法合成出140 g的高纯CdSiP2多晶料锭,分别采用自发形核和施加籽晶的垂直Bridgman法生长出φ12 mm×40 mm和φ15 mm×50 mm优质CdSiP单晶体.所生长的晶体中无宏观散射颗粒,(004)面的单晶摇摆曲线的半峰宽为40".透过光谱表明CdSiP2晶体在2～6.5tμm的透过率达到57;,接近其理论最大值.辉光放电质谱检测到晶体中含有少量的Fe、Cr、Mn、Ti等过渡金属.电子顺磁共振波谱检测到Fe+和Mn2的存在,这些杂质可能会引起晶体在近红外波段的光学吸收.

中图分类号:

O782

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