中红外非线性光学晶体CdSiP2的合成与生长

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (8): 1494-1498.

中红外非线性光学晶体CdSiP2的合成与生长

张国栋;程奎;张龙振;陶绪堂

山东大学晶体材料国家重点实验室,晶体材料研究所,济南250100

出版日期:2020-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
(国家自然科学基金);(山东省重点研发计划)

Synthesis and Growth of Mid-infrared Nonlinear Optical Crystal CdSiP2

ZHANG Guodong;CHENG Kui;ZHANG Longzhen;TAO Xutang

Online:2020-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文以P,Si,Cd为原料采用双温区法合成出140 g的高纯CdSiP2多晶料锭,分别采用自发形核和施加籽晶的垂直Bridgman法生长出φ12 mm×40 mm和φ15 mm×50 mm优质CdSiP单晶体.所生长的晶体中无宏观散射颗粒,(004)面的单晶摇摆曲线的半峰宽为40".透过光谱表明CdSiP2晶体在2～6.5tμm的透过率达到57;,接近其理论最大值.辉光放电质谱检测到晶体中含有少量的Fe、Cr、Mn、Ti等过渡金属.电子顺磁共振波谱检测到Fe+和Mn2的存在,这些杂质可能会引起晶体在近红外波段的光学吸收.

中图分类号:

O782

张国栋;程奎;张龙振;陶绪堂. 中红外非线性光学晶体CdSiP2的合成与生长[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1494-1498.

ZHANG Guodong;CHENG Kui;ZHANG Longzhen;TAO Xutang. Synthesis and Growth of Mid-infrared Nonlinear Optical Crystal CdSiP2[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(8): 1494-1498.

[1]	赵美丽, 孙涛峰, 桂强, 张春生, 王树印, 刘珊, 李新乔, 安正华, 杨生. 引力波伽马射线暴探测用大尺寸溴化镧晶体封装件的制备及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(3): 414-420.
[2]	赵国彦, 瞿立, 李进, 马润. 高温循环载荷下石英坩埚气孔-裂纹应力强度因子数值模拟[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(3): 493-500.
[3]	邹梓杨, 吴松全, 杨义, 王皞, 黄爱军. 水热釜填充度与溶液pH值对水热法制备钙磷涂层的影响[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(3): 526-535.
[4]	王本发, 王守志, 王国栋, 俞娇仙, 刘磊, 李秋波, 武玉珠, 徐现刚, 张雷. 基于钠助熔剂法的GaN单晶生长研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(2): 183-195.
[5]	王苗苗, 张传成, 任浩, 唐绪兵, 丁守军, 邹勇, 黄护林. 不同高径比下浮区晶体生长熔体内对流不稳定性分析[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(2): 220-228.
[6]	刘文娇, 张明记, 辛显辉, 郝元凯, 付秀伟, 张健, 贾志泰, 陶绪堂. 微下拉法生长Tb₃Al_xGa_5-xO₁₂磁光晶体及其性能表征[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(1): 8-16.
[7]	力茂林, 徐悟生, 张斌, 田东升, 尹祖荣, 张镇玺, 贾永超, 徐朝鹏. 大尺寸掺铊碘化钠晶体生长及闪烁性能[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(1): 17-24.
[8]	李鹏飞, 胡子钰, 郑国宗. Ⅰ类高氘DKDP晶片性能研究[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(12): 2009-2013.
[9]	丁小南, 田相鑫, 赵鹏, 高泽亮, 刘敬权. Aurivillius结构Bi₂Mo_xW_1-xO₆铁电功能晶体的生长与性质表征[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(11): 1858-1870.
[10]	杨祥龙, 陈秀芳, 谢雪健, 彭燕, 于国建, 胡小波, 王垚浩, 徐现刚. 8英寸导电型4H-SiC单晶的生长[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(9-10): 1745-1748.
[11]	穆文祥, 贾志泰, 陶绪堂. 4英寸氧化镓单晶生长与性能[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(9-10): 1749-1754.
[12]	孙英龙, 郑丽丽, 张辉. 准单晶硅铸锭过程中加热功率及硅料堆积孔隙率对籽晶熔化的影响[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(9-10): 1755-1768.
[13]	蔡文为, 刘祥炜, 王浩, 汪建元, 郑力诚, 王永嘉, 周颖慧, 杨旭, 李金钗, 黄凯, 康俊勇. 生长气压对分子束外延β-Ga₂O₃薄膜特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(7): 1152-1157.
[14]	张晶, 刘丁. ø300 mm直拉硅单晶生长过程中的变晶现象及其影响因素[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(7): 1185-1193.
[15]	丁言国, 叶崇志. YAlO₃∶Ce晶体的生长及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(6): 965-972.