β-Ga2O3作为超宽带隙半导体(带隙4.8~4.9 eV),凭借高Baliga性能因子、深紫外探测能力及抗辐射特性,成为功率电子器件、光电器件和核辐射探测器件的理想材料。本文系统综述了β-Ga2O3单晶生长与超精密加工的技术进展及未来挑战。单晶生长方面,导模法与垂直布里奇曼法已实现6英寸(1 inch=2.54 cm)晶圆量产,“铸造法”工艺制备8英寸晶圆技术达国际领先水平。掺杂策略(如Sn、Mg)可调控载流子浓度(1015~1019 cm-3),优化电学性能。针对材料的强各向异性和硬脆特性,多级研磨结合化学机械抛光(CMP)实现表面粗糙度(Ra)小于0.2 nm,大气等离子体刻蚀可进一步将Ra压缩至0.05 nm;超快激光加工结合液体辅助技术可制备无损伤微结构。未来需突破大尺寸晶体产率与表面缺陷控制,通过跨尺度损伤模型、原位监测及工艺优化,结合多场协同加工创新,推动β-Ga2O3在功率器件与深紫外探测领域的应用。